一種雙功能空心納米復(fù)合氧化物材料，以空心氧化硅為基體，無機(jī)金屬氧化物高分散在空心氧化硅基體之中，有機(jī)基團(tuán)嫁接在空心氧化硅表面上。無機(jī)金屬為Co、Cu、Ni、Zn、Ag、Au、Ir、Rh、Pt、Pd、R
發(fā)布時(shí)間： 2012-05-16
本發(fā)明涉及一種交流LED發(fā)光裝置，屬于LED制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于低成本地解決在交流供電的方式下的頻閃問題，同時(shí)解決微晶片集成導(dǎo)致散熱不暢等一系列問題。本發(fā)明的技術(shù)方案：LED發(fā)光
發(fā)布時(shí)間： 2012-05-23
本發(fā)明公開了一類含有三齒氮配體2，6-二亞胺吡啶的鐵系和鈷系配合物及其制備方法。該配合物的結(jié)構(gòu)式如式I所示，其中，M為鐵或鈷，R1，R2均選自氫和烷基中的任意一種。制備方法如下：在無氧條件下，使式IV
發(fā)布時(shí)間： 2012-05-23
本發(fā)明涉及一種具有保護(hù)肝損傷活性的麗江大黃提取物，該提取物含有從蓼科大黃屬植物麗江大黃中提取的總質(zhì)量不低于40％的如下結(jié)構(gòu)式的二苯乙烯化合物：其中母核的亞乙烯基為反式結(jié)構(gòu)，R1、R2、R3、R4分別獨(dú)
發(fā)布時(shí)間： 2012-06-13
本發(fā)明公開了一種河道生態(tài)恢復(fù)植被的構(gòu)建方法，步驟：⑴沉水植被恢復(fù)：在工程全區(qū)域，分散種植耐污能力較強(qiáng)的沉水植物，如金魚藻、輪葉黑藻等，恢復(fù)與重建沉水植被；⑵濱水植物種植：在工程全區(qū)域河流坡岸處，分別種
發(fā)布時(shí)間： 2012-06-13
本發(fā)明提供半導(dǎo)體材料測(cè)量裝置及原位測(cè)量界面缺陷分布的方法，屬于半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，該半導(dǎo)體材料測(cè)量裝置包括一反應(yīng)腔室、一樣品平臺(tái)、一聚焦離子束顯微鏡系統(tǒng)與一電子束誘導(dǎo)感生電流測(cè)量裝置；并且在該方法中，對(duì)多
發(fā)布時(shí)間： 2012-06-13
本發(fā)明公開了一種可雙向加載的地基基礎(chǔ)模型試驗(yàn)裝置。承力框架為一矩形剛架，模型槽為一箱型板焊接而成的上敞口的長(zhǎng)方形鋼結(jié)構(gòu)模型槽，承力框架套在模型槽外圍，水平作動(dòng)器反力柱豎直立于模型槽的左端部，水平作動(dòng)器
發(fā)布時(shí)間： 2012-06-13
本發(fā)明屬于材料制備領(lǐng)域，涉及功能樹脂負(fù)載型高分散金屬納米粒子的可控制備方法。本發(fā)明的方法原理為：在含有豐富親水基團(tuán)的功能樹脂內(nèi)，水分子會(huì)自發(fā)向親水基團(tuán)集中的位點(diǎn)聚集，形成富水內(nèi)核；而有機(jī)溶劑分子會(huì)向其
發(fā)布時(shí)間： 2012-06-13
本申請(qǐng)公開了一種MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括SOI晶片，所述SOI晶片包括底部半導(dǎo)體襯底、第一氧化物埋層和第一半導(dǎo)體層；源區(qū)和漏區(qū)，形成在SOI晶片上方的第二半導(dǎo)體層中，第二半導(dǎo)
發(fā)布時(shí)間： 2012-06-06
本實(shí)用新型提供一種自動(dòng)除塵設(shè)備及終端設(shè)備，其中自動(dòng)除塵設(shè)備包括：一殼體，該殼體內(nèi)設(shè)置有一風(fēng)道；一用于過濾空氣中雜質(zhì)的防塵網(wǎng)，設(shè)置在風(fēng)道中；一用于自動(dòng)清理防塵網(wǎng)上雜質(zhì)的除塵裝置，除塵裝置設(shè)置在殼體內(nèi)。能
發(fā)布時(shí)間： 0000-00-00