本申請(qǐng)公開了一種MOSFET及其制造方法，該MOSFET在SOI晶片中形成，所述MOSFET包括：淺溝槽隔離區(qū)，在所述半導(dǎo)體層中限定有源區(qū)；柵疊層，位于所述半導(dǎo)體層上；源區(qū)和漏區(qū)，位于所述半導(dǎo)體層中且
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-17
本發(fā)明提供一種在α-Fe2O3納米晶表面異質(zhì)生長(zhǎng)納米SnO2的方法。將預(yù)先獲得的α-Fe2O3納米晶體分散在Sn(OH)62-的乙醇溶液中，通過(guò)溶劑熱反應(yīng)在α-Fe2O3納米晶上異質(zhì)生長(zhǎng)納米SnO2，
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-17
本發(fā)明公開了一種水平軸風(fēng)力機(jī)葉片專用翼型的設(shè)計(jì)方法及基于該方法得到的水平軸風(fēng)力機(jī)葉片專用翼型，所述設(shè)計(jì)方法基于反設(shè)計(jì)方法，設(shè)計(jì)出的翼型具有高效低載、良好的變工況特性及平滑失速特性。本發(fā)明的有益效果是：
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-17
本發(fā)明屬于醫(yī)藥技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高效的DPP-IV抑制劑，具體地涉及一種以脲嘧啶為母核的化合物或其鹽、其制備方法、組合物以及這類化合物作為二肽基肽酶(DPP-IV)抑制劑在預(yù)防或治療受益于DPP-IV
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-17
本發(fā)明涉及一種厭氧膠用引發(fā)劑的組成及其厭 氧膠。本發(fā)明是基于改進(jìn)已有的厭氧膠引發(fā)劑體系,特別是過(guò)氧 化物－取代肼－糖精的氧化還原體系,氧化劑和還原劑同時(shí)(或 分別)采用多于一個(gè)化合物組合的方法,
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本專利公開了一種PN結(jié)陣列受光的太陽(yáng)電池，在n型或p型半導(dǎo)體材料襯底上形成等間隔的周期性排列的PN結(jié)陣列，并將n型或p型層分別串聯(lián)起來(lái)形成太陽(yáng)電池；電池工作時(shí)太陽(yáng)光直接入射至PN結(jié)陣列。本專利最大的優(yōu)
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本實(shí)用新型涉及一種光軸平行性標(biāo)定系統(tǒng)，光軸平行性標(biāo)定系統(tǒng)包括自準(zhǔn)直經(jīng)緯儀、數(shù)據(jù)處理計(jì)算機(jī)以及用于對(duì)自準(zhǔn)直經(jīng)緯儀進(jìn)行自準(zhǔn)的平面反射鏡；待測(cè)光學(xué)系統(tǒng)設(shè)置在自準(zhǔn)直經(jīng)緯儀的出射光路上并與數(shù)據(jù)處理計(jì)算機(jī)電性相連
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本實(shí)用新型公開了一種用于紅外焦平面探測(cè)器背減薄的限位模具。該限位模具特殊的限位設(shè)計(jì)能精確控制探測(cè)器芯片厚度的一致性和均勻性；模具主材為硬度非常大的兩塊白寶石片，探測(cè)器芯片背減薄磨拋條件對(duì)其幾乎不起作用
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本實(shí)用新型涉及一種檢測(cè)電磁爐IGBT殼溫的溫控裝置，所述檢測(cè)電磁爐IGBT殼溫的溫控裝置，它包括散熱器、IGBT單管、螺桿、導(dǎo)熱片和熱敏電阻，在散熱器上設(shè)有IGBT單管，在IGBT單管上安裝有螺桿，在
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本實(shí)用新型涉及一種垂直傳遞室內(nèi)光學(xué)基準(zhǔn)標(biāo)定系統(tǒng)，該標(biāo)定系統(tǒng)包括自準(zhǔn)直經(jīng)緯儀、第一平面反射鏡系統(tǒng)、第二平面反射鏡系統(tǒng)、第一玻羅棱鏡、第二玻羅棱鏡以及基準(zhǔn)立柱；第一玻羅棱鏡以及第二玻羅棱鏡自上而下依次設(shè)置
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