本發(fā)明涉及新資源食品加工技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，是涉及一種菊芋全粉的制備方法。以新鮮菊芋為原料，依次經(jīng)過菊芋清洗脫皮，菊芋切成片、絲或丁，護(hù)色，干燥，粉碎后得到菊芋全粉。本發(fā)明解決了菊芋全粉生產(chǎn)過程中容
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本發(fā)明屬于植物施肥技術(shù)領(lǐng)域，涉及植物營(yíng)養(yǎng)平衡施肥技術(shù)，具體涉及一種經(jīng)濟(jì)植物小粒咖啡栽培過程中的平衡施肥方法。一種小?？Х确N植的平衡施肥方法，包括以下步驟：A、定植與施基肥；B、土壤樣品檢測(cè)；C、追肥配
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本發(fā)明涉及一種抑制脫碳胺吸收劑降解的方法，具體是指通過在胺吸收劑中加入一定量的抗氧化劑來抑制胺吸收劑降解。所用抗氧化劑是指木糖醇，蘇糖醇，二蘇糖醇，赤酰糖醇，乙二醇，丁二醇以及其它結(jié)構(gòu)類似的醇類化合物
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
一種基于局部平滑回歸的腦功能區(qū)定位方法，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理并確定設(shè)計(jì)矩陣X；以體素vi為球心、r為半徑建立球形選區(qū)，提取球形選區(qū)中的所有體素的時(shí)間序列；根據(jù)球形選區(qū)內(nèi)所有體素的時(shí)間序列和設(shè)計(jì)矩陣形成目標(biāo)
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本發(fā)明涉及糾錯(cuò)方法技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于并行編碼譯碼的循環(huán)漢明碼的糾錯(cuò)方法，包括：先分析傳統(tǒng)的串行CRC編碼電路的結(jié)構(gòu)得到串行CRC編碼電路的六個(gè)寄存器中的數(shù)據(jù)之間的遞推關(guān)系式；再將遞推關(guān)系式展開得
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本發(fā)明公開了一種III-V族半導(dǎo)體納米線晶體管器件，包括：?jiǎn)尉бr底層；在該單晶襯底層上形成的III-V族半導(dǎo)體緩沖層；在該III-V族半導(dǎo)體緩沖層上形成的底部歐姆接觸層；在該底部歐姆接觸層上形成的II
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本申請(qǐng)公開了一種SRAM單元及其制作方法。該SRAM單元包括：半導(dǎo)體層；以及在半導(dǎo)體層上形成的第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括對(duì)所述半導(dǎo)體層構(gòu)圖而形
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本發(fā)明提供一種混合共平面SOI襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述混合共平面SOI襯底結(jié)構(gòu)包括背襯底、位于背襯底上的埋氧化層以及位于埋氧化層上的頂層硅膜；所述頂層硅膜上形成有若干第一區(qū)域和若干第二區(qū)域，所述第一
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本發(fā)明提供一種混合共平面襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述混合共平面襯底結(jié)構(gòu)包括硅襯底及形成與所述硅襯底上的若干第一區(qū)域和若干第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與第二區(qū)域間隔排列，并通過隔離墻隔離，所述隔離墻底部到達(dá)所述
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03
本發(fā)明涉及一種三相四線并網(wǎng)PWM整流器電流參考值計(jì)算方法，在電網(wǎng)電壓不平衡跌落條件下，以消除有功功率波動(dòng)、抑制直流母線電壓波動(dòng)為控制目標(biāo)。該計(jì)算方法在滿足控制目標(biāo)的前提下，同時(shí)可以使得三相電流幅值參考
發(fā)布時(shí)間： 2013-04-03